什么是沟道效应？

沟道效应虽然可以使注入离子穿行的更远，但是注入的深度却是不可控的。所有的离子离子束不是完美地完全平行于沟道。许多离子注入衬底后会发生许多次核碰撞，只有少数一些会进入很深的距离，这样注入的深度有的深有的浅，很不均匀。

器件的一致性降低

在晶体管等半导体器件中，掺杂剂的分布直接影响到器件的关键性能指标，例如开关特性、阈值电压、载流子迁移率等。因此不均匀的掺杂深度与分布，导致器件的一致性，稳定性降低。

怎么避免沟道效应的影响？

一般有三种方式，调整离子注入角度

什么是注入角度？离子注入角度是指离子束相对于晶圆表面法线的倾斜角度。

常见的注入角度是多少？为什么？

通过调整离子注入的角度，使离子的入射方向与晶格沟道不对齐，可以显著减少沟道效应。常见的做法是将注入角度设为晶面法线的7度到10度之间，这有助于打乱离子的路径，减少沿通沟穿透的概率。另一方面又可保证注入的深度与减少离子注入的阴影效应。

表面无序化处理

在顶部沉积非晶材料，如氧化硅。氧化硅必须非常薄，大概在十几个纳米左右。这样可以改变离子注入过程中的局部结构环境。非晶态薄膜由于其无序的原子排列，没有晶格沟道，因此可以有效地打乱进入离子的路径，降低其沿晶格沟道直接穿透到深层的可能性。

注入前无定形处理

通过预先注入某些轻离子（如氢或氦），在晶格中引入缺陷，这些缺陷可以作为散射中心，减少后续掺杂离子的沟道穿透。

返回搜狐，查看更多